Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10E60W
TK10E60W,S1VX Hakkında
TK10E60W,S1VX, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olup, 600V drain-source voltaj dayanımı ve 9.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 380mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. 150°C'ye kadar işletim sıcaklığında çalışabilen ve 100W güç harcayabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve SMPS (Switched Mode Power Supply) tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (20nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunarak enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok