Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10A80W
TK10A80W,S4X Hakkında
TK10A80W,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 550mOhm maksimum RDS(on) değeri ile açılır. 40W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma sağlar ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında stabildir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok