Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10A80E
TK10A80E,S4X Hakkında
TK10A80E,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, invertörler, SMPS (Switch Mode Power Supply) devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±30V gate gerilim aralığında çalışabilir ve 150°C maksimum junction sıcaklığında işletilmek üzere tasarlanmıştır. Through-hole montaj türü nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok