Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10A60W,S4X
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10A60W
TK10A60W,S4X Hakkında
TK10A60W,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 9.7A sürekli dren akımı ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde gelen bileşen, anahtarlama devreleri, invertörler, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. 30W güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında tercih edilir. Maksimum ±30V gate-source voltajı ve 3.7V gate-source threshold voltajı özellikleri ile kontrol ve koruma özelliklerinin uygun şekilde tasarlanmasına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok