Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10A60W
TK10A60W,S4VX Hakkında
TK10A60W,S4VX, Toshiba tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi ve 9.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olup, 10V kapı sürme geriliminde 380mΩ maksimum RDS(on) değerine ulaşır. TO-220-3 paket türünde temel delikli montaj için uygun olan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri ve motorlu sistemlerde kullanılır. 20nC kapı yükü ve 700pF giriş kapasitesi sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok