Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10A60E,S5X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10A60E
TK10A60E,S5X Hakkında
TK10A60E,S5X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. 45W güç tüketimi kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, elektrik kaynakları ve anahtarlamalı regülatör tasarımlarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 750mOhm maksimum açık-devre direnci ve 4V kapı eşik gerilimi ile kontrol devrelerinde etkili anahtarlama sağlar. ±30V kapı gerilimi aralığında çalışabilir ve -40°C ile 150°C arasında işletilme sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok