Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK10A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK10A60D
TK10A60D(STA4,Q,M) Hakkında
TK10A60D, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile PCB'ye dik monte edilebilir. 750mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde 5A dren akımında) ile düşük güç kaybı sağlar. 45W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı endüstriyel güç denetim devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok