Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100S04N1L
TK100S04N1L,LQ Hakkında
Toshiba TK100S04N1L,LQ, 40V drain-source geriliminde 100A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) paket tipinde surface mount olarak monte edilir. 10V gate geriliminde 2.3mΩ RDS(on) değerine sahip bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi, 2.5V threshold gerilimi ve 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5490 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok