Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
- Paket/Kılıf
- TO-3PL
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100L60W
TK100L60W,VQ Hakkında
TK100L60W,VQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi ile düşük on-resistance (18mOhm @ 50A, 10V) sağlar. TO-3PL paket tipinde through-hole montaj yapılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 797W güç yayabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, elektrik motor kontrolleri ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda uygulanır. ±30V maksimum gate voltajı ile geniş çalışma aralığına sahiptir. 3.7V gate threshold voltajı ile hızlı komutasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3PL |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 797W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P(L) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok