Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100E10N1
TK100E10N1,S1X Hakkında
TK100E10N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (3.4mOhm @ 50A, 10V) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde verimli çalışma sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel uygulamalar gibi yüksek akım gerektiren sistemlerde yaygın olarak tercih edilir. Maximum 255W güç dağıtabilme özelliğine sahiptir. ±20V gate voltajı aralığında ve 150°C'ye kadar işletilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok