Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100E08N1
TK100E08N1,S1X Hakkında
TK100E08N1,S1X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ile 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun olarak tasarlanmıştır. Maksimum 3.2mΩ on-resistance (10V, 50A koşullarında) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge 130nC (10V) olup, hızlı anahtarlama özellikleri sunar. ±20V maksimum gate-source gerilimi tolerans alanı içinde çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 255W maksimum güç dağılımında kullanılabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, invertörler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok