Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100E06N1,S1X
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100E06N1
TK100E06N1,S1X Hakkında
Toshiba TK100E06N1,S1X, 60V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 2.3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 140nC olup, 10V drive voltage ile kontrol edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı aralığında çalışır. Maksimum 255W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Motor sürücüleri, şarj devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 255W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok