Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100A10N1
TK100A10N1,S4X Hakkında
Toshiba TK100A10N1,S4X, 100V/100A rated N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.8mOhm (10V, 50A) düşük RDS(on) değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 140nC gate charge ve 4V eşik gerilim karakteristiği ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. Maksimum 45W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı geniş uygulamalar için esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok