Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 100A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100A08N1
TK100A08N1,S4X Hakkında
Toshiba TK100A08N1,S4X, N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olarak, yüksek akım uygulamalarında kullanılan güç yarı iletkendir. 80V Drain-to-Source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 3.2mΩ (50A, 10V) maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, 150°C maksimum işletim sıcaklığına kadar çalışabilir ve 45W güç dağılımına dayanır. Gate charge değeri 130nC olup, hızlı anahtarlama karakteristikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok