Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK100A06N1
TK100A06N1,S4X Hakkında
TK100A06N1,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 100A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.7mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında operasyon yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok