Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK099V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
- Paket/Kılıf
- 4-VSFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK099V65Z
TK099V65Z,LQ Hakkında
TK099V65Z,LQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 5-DFN (8x8) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarıma sahiptir. 99mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 230W güç disipasyon kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. ±30V gate gerilim aralığı ve 47nC gate charge değeri hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.27mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok