Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK090U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
TK090U65Z

TK090U65Z,RQ Hakkında

TK090U65Z,RQ, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim aralığında çalışabilen bu bileşen, 30A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. DTMOS VI teknolojisine dayanan tasarımı sayesinde 90mOhm maksimum on-dirençte (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. 230W maksimum güç tüketimi ve 1MHz frekans özelliğiyle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol aralığı sunar. Surface Mount paketi (TOLL-PowerSFN) ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. Endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerin anahtarlama elemanı olarak uygulanır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile sıcak ortamlara dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 300 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TOLL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.27mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok