Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK090N65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK090N65Z
TK090N65Z,S1F Hakkında
TK090N65Z,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç elektroniği, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. ±30V gate voltaj aralığı ve 47nC gate charge ile kontrol kolaylığı sunar. 150°C çalışma sıcaklığına ve 230W güç dağıtımına dayanacak şekilde tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.27mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok