Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TK090A65Z,S4X
MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TK090A65Z
TK090A65Z,S4X Hakkında
TK090A65Z,S4X, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sağlanan bu bileşen, 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. IGBT teknolojisini kullanmayan, metal oksit yapılı bu transistör, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrolü, kaynak cihazları ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SIS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.27mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok