Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TK065N65Z,S1F

MOSFET N-CH 650V 38A TO247

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
TK065N65Z

TK065N65Z,S1F Hakkında

TK065N65Z,S1F, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 38A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, endüstriyel elektrik sistemleri ve DC-DC konvertörleri gibi alanlarda tercih edilir. 65mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. ±30V gate-source gerilimi aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta işlem görebilir. 270W güç disipasyonu kapasitesi sayesinde yüksek güç uygulamalarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3650 pF @ 300 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.69mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok