Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ90S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ90S04M3L
TJ90S04M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ90S04M3L,LXHQ, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilim kapasitesi ile 90A sürekli drenaj akımı sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paket tipi ile PCB'ye direkt entegrasyon yapılır. 4.3mOhm (10V, 45A koşullarında) düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimizes eder. 180W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 175°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç yönetimi, ters polarite koruması ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. Gate eşik gerilimi 2V olup 10V gate sürme griliminde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 172 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok