Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ8S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ8S06M3L
TJ8S06M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ8S06M3L, 60V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET'tir. DPAK (SC-63) paketinde sunulan bu transistör, Rds(on) değeri 104mOhm (10V, 4A) ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate eşik gerilimi 3V ve maksimum gate gerilimi ±20V'tur. 27W güç disipasyon kapasitesi ve 175°C çalışma sıcaklığı ile güç yönetimi, anahtarlama ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır. Düşük gate yükü (19nC) hızlı anahtarlamaya imkan tanır. Surface mount teknolojisi PCB tasarımında alan verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok