Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ80S04M3L
TJ80S04M3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TJ80S04M3L(T6L1,NQ, P-channel güç MOSFET transistörüdür ve 40V drain-source gerilim ile 80A sürekli drenaj akımına sahiptir. DPAK (TO-252-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 5.2mΩ'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 175°C'ye kadar çalışma sıcaklığında 100W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Düşük geçiş direnci ve hızlı komütasyon özellikleri ile motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve genel endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7770 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok