Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ80S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ80S04M3L
TJ80S04M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ80S04M3L,LXHQ, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilen yüksek akım kapasiteli bir anahtarlama elemanıdır. DPAK (TO-252-3) yüzeye monte paketinde sunulur. 5.2mΩ düşük gate-source direnci (10V, 40A) ile ısıl disipasyon ve güç kaybını minimize eder. 100W maksimum güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Surface mount tasarımı kompakt PCB düzenlemeleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7770 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok