Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ60S06M3L
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TJ60S06M3L(T6L1,NQ, 60V/60A P-Channel MOSFET transistördür. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri görmek üzere tasarlanmıştır. 11.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 100W güç saçımı kapasitesi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. Gate charge değeri 156nC ve input kapasitans 7760pF olup, hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7760 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok