Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ60S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ60S06M3L
TJ60S06M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ60S06M3L,LXHQ, P-Channel MOSFET transistörü olup 60V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate sürme gerilimiyle 11.2mΩ maksimum RDS(on) değerine ulaşır. 156nC gate charge ve 7760pF input capacitance özellikleriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100W güç tüketim kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı nedeniyle endüstriyel enerji yönetimi, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate threshold gerilimi 3V @ 1mA olarak belirlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7760 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok