Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ60S04M3L
TJ60S04M3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TJ60S04M3L(T6L1,NQ, 40V/60A kapasitesinde P-Channel MOSFET transistördür. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (6.3mΩ @ 30A, 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 125 nC gate charge ve 6510 pF input capacitance özelliğine sahiptir. +10V/-20V Vgs aralığında çalışır, maksimum 175°C junction sıcaklığında işletilmesi mümkündür. 90W güç disipasyonlu tasarımı sayesinde motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC convertör ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6510 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok