Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ50S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ50S06M3L
TJ50S06M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ50S06M3L,LXHQ, P-Channel MOSFET transistörü olup 60V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. DPAK (TO-252-3) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 13.8mOhm maksimum on-direnci ile karakterizedir. 90W güç disipasyon kapasitesi ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. Gate şarjı 124nC ve giriş kapasitansi 6290pF olarak belirtilmiş olup, düşük sinyal uygulamalarından güç elektronikleri alanına kadar geniş yelpazede tercih edilir. Anahtarlama hızı gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6290 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok