Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ40S04M3L
TJ40S04M3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TJ40S04M3L(T6L1,NQ, P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 40A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajlı paket ile sağlanır. RDS(on) değeri 10V gate voltajında 20A akımda 9.1 mOhm olarak belirlenmiştir. 68W maksimum güç dağılımına ve 175°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. Gate threshold voltajı 1mA akımda 3V'tur. Input kapasitansi 10V DS voltajında 4140 pF, gate charge ise 10V'ta 83 nC'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4140 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok