Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ30S06M3L
TJ30S06M3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TJ30S06M3L(T6L1,NQ, 60V P-Channel MOSFET transistördür. 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 21.8mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. -20V ile +10V arasında gate gerilimi aralığında çalışır ve 175°C'ye kadar sıcaklığa dayanıklıdır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3950 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok