Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ200F04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ200F04M3L
TJ200F04M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ200F04M3L,LXHQ, P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 1.8mOhm (max) on-resistance değeri ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığı ile tasarlanmıştır. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. 375W maksimum güç kaybı ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 460 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1280 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220SM(W) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok