Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ15S06M3L
TJ15S06M3L(T6L1,NQ Hakkında
Toshiba TJ15S06M3L(T6L1,NQ, P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 15A maksimum sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajı paketinde sunulur. 10V gate voltajda 50mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük seri direnç sağlar. Gate şarjı 36nC ve input kapasitesi 1770pF'dir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 41W güç saçabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok