Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ10S04M3L
TJ10S04M3L(T6L1,NQ Hakkında
TJ10S04M3L, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 10A sürekli akım kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevlerinde kullanılır. DPAK paketinde sunulan bu bileşen, 44mΩ (10V Vgs'de) düşük iç direnç ile enerji verimli tasarımlar sağlar. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığına ve 27W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Motor kontrolü, güç kaynakları, batarya yönetimi ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Hızlı açılıp kapanması gereken devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok