Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TJ10S04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TJ10S04M3L
TJ10S04M3L,LXHQ Hakkında
Toshiba TJ10S04M3L,LXHQ, P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 44mOhm'luk (10V, 5A'de) RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulur. 175°C çalışma sıcaklığına ve 27W maksimum güç dağılımına dayanır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 19nC gate charge ve 930pF input capacitance (10V'de) değerleriyle hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK+ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok