Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SVD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SVD5867
SVD5867NLT4G Hakkında
SVD5867NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 22A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (39mOhm @ 10V) sayesinde verimli güç dönüştürme işlemlerinde tercih edilir. Mobil şarjlama sistemleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Not: Bu parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok