Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SVD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SVD5806NT4G

SVD5806NT4G Hakkında

SVD5806NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 33A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği sağlar. Gate charge 38nC ve 860pF input capacitance ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok