Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SVD2955T4G

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SVD2955

SVD2955T4G Hakkında

SVD2955T4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve yüksek akım gereksinimi olan kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürme voltajında optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok