Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUP90330E-GE3

MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SUP90330E

SUP90330E-GE3 Hakkında

Vishay SUP90330E-GE3, 200V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 35.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montaj kolaylığı sağlar. Gate charge karakteristiği 32 nC @ 10V olup, 37.5 mOhm maksimum on-direnci ile düşük kayıp özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1172 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok