Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP90100E-GE3
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP90100E
SUP90100E-GE3 Hakkında
SUP90100E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 150A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. 375W maksimum güç dissipasyonu ile yüksek güç işleme kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3930 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok