Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP85N10-10P-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP85N10
SUP85N10-10P-GE3 Hakkında
Vishay SUP85N10-10P-GE3, 100V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 85A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve switching uygulamalarında, güç kaynağı denetim devrelerinde, motor sürücü sistemlerinde ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate kapasitansı 4660pF (50V'de) ve gate charge 120nC (10V'de) olarak belirtilmiştir. Ürün halen üretilmemektedir (obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok