Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP85N10-10-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP85N10
SUP85N10-10-GE3 Hakkında
SUP85N10-10-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V dren-kaynak gerilimi ve 85A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10.5mOhm'luk düşük açık direnç (Rds On) ile enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, AC-DC güç kaynakları ve endüstriyel denetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 250W ısıl dissipasyonu destekler. Gate charge 160nC ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 30A, 10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok