Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP80090E
SUP80090E-GE3 Hakkında
SUP80090E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 150V drenaj-kaynak voltajı ve 128A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve 95nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, güç dönüşüm devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamali güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj türü sayesinde PCB'ye doğrudan lehimlenmesi mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 128A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3425 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok