Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUP60N10-18P-E3

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SUP60N10

SUP60N10-18P-E3 Hakkında

SUP60N10-18P-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır. 18.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlarda kullanım için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok