Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP60030E
SUP60030E-GE3 Hakkında
SUP60030E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynağı ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 3.4mOhm maksimum gate-source direnciyle (10V, 30A koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 375W'a kadar güç yayabilir ve 141nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol işlevleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7910 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok