Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP50N10-21P-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP50N10
SUP50N10-21P-GE3 Hakkında
SUP50N10-21P-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajı kolaydır. 21mΩ RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, 125W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok