Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP50N03-5M1P-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP50N03
SUP50N03-5M1P-GE3 Hakkında
SUP50N03-5M1P-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 50A sürekli drain akımı sağlayabilir. TO-220-3 paket türünde üretilen bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 5.1mOhm olup, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında çalışabilen transistör, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüleri gibi yüksek akım uygulamalarında tercih edilmektedir. Gate charge değeri 66nC olarak belirtilmiştir. Lütfen katalogdan daha detaylı bilgi için datasheet dosyasını inceleyiniz.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2780 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta), 59.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok