Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUP25P10-138-GE3
MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUP25P10
SUP25P10-138-GE3 Hakkında
Vishay SUP25P10-138-GE3, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 16.3A sürekli drain akımı (Id) ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate geriliminde 13.8mΩ maksimum RDS(ON) direnci ile verimli çalışır. Gate charge değeri 60nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumlu ±20V maksimum gate gerilimi sınırlaması vardır. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok