Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET N-CH 100V 90A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM90N10

SUM90N10-8M2P-E3 Hakkında

SUM90N10-8M2P-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 90A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 8.2mΩ düşük on-resistance değeri ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC konvertörleri ve yüksek akımı anahtarlama gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır, 4.5V kapı eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6290 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok