Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM90N06-4M4P-E3

MOSFET N-CH 60V 90A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM90N06

SUM90N06-4M4P-E3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SUM90N06-4M4P-E3, 60V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.4mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve diğer güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 160nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6190 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok