Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM90142E-GE3

MOSFET N-CH 200V 90A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM90142E

SUM90142E-GE3 Hakkında

Vishay SUM90142E-GE3, 200V drain-source voltaj ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 375W maksimum güç tüketebilen bu FET, güç dönüştürücüler, dc-dc konvertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 87nC gate charge ve 3120pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok